晶圆 | 三星3nm瓷试生产！首个客户为中国比特币挖矿芯片厂

CINNO Research产业的资讯，惠普最快将于本周开始顺利完成3纳米(nm)Foundry工艺电子技术“试生产商”。据报，首个的产品是华南地区的比特币开发技术用矽公司。来由，现在从旧金山三星电子收到了预订订单，部分物量可以委托生产商。虽然不是一般意义上的“试作”，但产业界评论者所称，作为采用GAA(Gate -All-Around)工艺电子技术试生产商的全球第一个3nm工艺电子技术，这很有意义。

根据韩媒Thelec报导，据矽服务业6月28日通告，惠普计划较晚在本周内转为采用GAA工艺电子技术的3nm产品试生产商。

GAA是透过四面的新一代二极管构造，与以后以电流流动的通道为三面的FinFET构造不同。与FinFET构造相比，较强更精密的电流抑制能力和更高的功率生产成本，被认为是实现超微矽线幅最重要的电子技术。

据报，3nm GAA工艺电子技术的综合型的产品是华南地区比特币开发技术用矽(ASIC)Fabless供应商PanSemi。据了解，与三星Foundry的最大的产品三星电子现在达成了协议，随时可以将透过3nm工艺电子技术的芯片委托给三星生产商。

据系统性，这是针对华南地区台湾Foundry供应商TSMC的3nmDRAM出现问题，月份确保惠普的3nm工艺电子技术物量的策略性。以后三星电子曾打算透过惠普的3nmDRAM生产商Mobile AP(应用领域程序处理器)，惠普因不符合良率条件，曾将物量委托给TSMC。

惠普在此前设立了将3nm GAA工艺电子技术在今年当年全球首次试作应用领域的目标。上季度业绩公布后的电话会议之中，也重申了这一主张。此次试生产商将使惠普的“3nm当年试作”的承诺得以兑现。不过，据了解，此次生产商并非一般意义上的大规模试作，而是更接近于产品测试的试生产商。

业内人士认为，仅凭惠普全球首次生产商GAA 3nm工艺电子技术，就颇有意义。此前，惠普直至被认为因3nm工艺电子技术相关IP(侵权行为)不足、良品率不佳等原因，导致3nm工艺电子技术开发所设计不顺利。最近，也有观察将推迟3nm工艺电子技术试作的往常表。对此，惠普正面辩护所称：“3nm试作往常如期顺利顺利完成，当年将开始试作。”

产业界相关人士说明：“即使西北面试生产商阶段，惠普也能提升3nm GAA工艺电子技术的电子技术实力和良率，从而确保的产品”，“但是下次惠普的新一代Mobile AP有否会应用领域3nm仍难以预测。”有系统性所称，实际透过3nm工艺电子技术的大规模试作短时间还有待观察。也有部分人士认为，惠普正式试作GAA 3nm的短时间较晚在今年年末，最晚在下次当年。

同时，TSMC正在等待试作基于FinFlex的3nm工艺电子技术(N3)。PinFlex根据芯片所设计人员希望的各种配置文件可定制提供FinPET的构造。例如，基于3N工艺电子技术，振幅最多的3-2 FIN，性能指标与生产成本彼此之间均衡的2-2 FIN，重视功率生产成本的1-2FIN可以在同一Die上混合使用。基本的N3工艺电子技术将于今年当年开始试作，简化工艺电子技术在此之后开始试作。

TSMC今年早些时候也曾被指出3nm工艺电子技术良品率最低预期的问题，但与惠普一样强调计划无法发生变化。TSMC副总经理刘德音在本月6日闭幕的债权人说明会上说明：“今年当年将开始试作3N工艺电子技术，简化工艺电子技术将在一年后转为试作。”

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